JCS10N80GDC Todos los transistores

 

JCS10N80GDC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS10N80GDC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 416 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235.2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO3PB

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JCS10N80GDC datasheet

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JCS10N80GDC

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch

 6.1. Size:1202K  jilin sino
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JCS10N80GDC

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch

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JCS10N80GDC

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JCS10N80GDC

R JCS10N60C JCS10N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 10 A VDSS 600 V Rdson-max 0.85 Vgs=10V Qg-Typ 51.5 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplies FEATURES

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History: JCS10N70F | AJCS160N08I

 

 

 

 

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