JCS10N80GDC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: JCS10N80GDC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 34.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 235.2 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO3PB
Аналог (замена) для JCS10N80GDC
JCS10N80GDC Datasheet (PDF)
jcs10n80fc jcs10n80gdc.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS RdsonVgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch
jcs10n80f.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS RdsonVgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch
jcs10n65f.pdf

R JCS10N65FC JCS10N65FC Package MAIN CHARACTERISTICS ID 10 A 650 V VDSS 1.0 Rdson-max@Vgs=10V Qg-Typ 54 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplies FEATURES
jcs10n60f jcs10n60c.pdf

R JCS10N60C JCS10N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 10 A VDSS 600 V Rdson-max 0.85 Vgs=10V Qg-Typ 51.5 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplies FEATURES
Другие MOSFET... JCS10N65C , JCS10N65F , JCS10N65S , JCS10N70B , JCS10N70C , JCS10N70F , JCS10N70S , JCS10N80FC , IRF840 , JCS110N07I , JCS11N90ABT , JCS11N90WT , JCS12N65BEI , JCS12N65CEI , JCS12N65FEI , JCS12N65SEI , JCS13AN50BC .
History: APM2701ACC-TRG | HY1403U | SSM4924GM | 1N60G-TN3-R | CSD16411Q3 | VBZE100N03 | PK615BMA
History: APM2701ACC-TRG | HY1403U | SSM4924GM | 1N60G-TN3-R | CSD16411Q3 | VBZE100N03 | PK615BMA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450