JCS10N80GDC - описание и поиск аналогов

 

JCS10N80GDC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JCS10N80GDC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO3PB

Аналог (замена) для JCS10N80GDC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS10N80GDC даташит

 ..1. Size:953K  jilin sino
jcs10n80fc jcs10n80gdc.pdfpdf_icon

JCS10N80GDC

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch

 6.1. Size:1202K  jilin sino
jcs10n80f.pdfpdf_icon

JCS10N80GDC

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch

 8.1. Size:830K  jilin sino
jcs10n65f.pdfpdf_icon

JCS10N80GDC

 8.2. Size:1369K  jilin sino
jcs10n60f jcs10n60c.pdfpdf_icon

JCS10N80GDC

R JCS10N60C JCS10N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 10 A VDSS 600 V Rdson-max 0.85 Vgs=10V Qg-Typ 51.5 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplies FEATURES

Другие MOSFET... JCS10N65C , JCS10N65F , JCS10N65S , JCS10N70B , JCS10N70C , JCS10N70F , JCS10N70S , JCS10N80FC , IRF840 , JCS110N07I , JCS11N90ABT , JCS11N90WT , JCS12N65BEI , JCS12N65CEI , JCS12N65FEI , JCS12N65SEI , JCS13AN50BC .

History: 2SK2733 | 2SK2750

 

 

 

 

↑ Back to Top
.