JCS18N50WE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS18N50WE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 400.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 19 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 48.7 nC
Tiempo de subida (tr): 43 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS18N50WE
JCS18N50WE Datasheet (PDF)
jcs18n50we jcs18n50abe.pdf
N N- CHANNEL MOSFET RJCS18N50WE ABE MAIN CHARACTERISTICS Package ID 19 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.27 Qg-typ 48.7nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge
jcs18n50wh.pdf
N lSX:_W:WHe^vfSO{ N- CHANNEL MOSFET RJCS18N50WH ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS \ Package ID 19 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.27 Qg-typ 50nC APPLICATIONS (u l High efficiency swi
jcs18n50be jcs18n50se jcs18n50ce jcs18n50fe.pdf
N N- CHANNEL MOSFET RJCS18N50E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.27 Qg-typ 48.7nC Eoss@Vdss=400V 5.84mJ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS
jcs18n25vc jcs18n25rc jcs18n25cc jcs18n25fc.pdf
N-CHANNEL MOSFET JCS18N25C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 18A VDSS 250V Rdson-max@Vgs=10V 230m Qg-typ 17.48nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS
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