JCS18N50WE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS18N50WE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для JCS18N50WE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS18N50WE даташит

 ..1. Size:1269K  jilin sino
 jcs18n50we jcs18n50abe.pdf pdf_icon

JCS18N50WE

N N- CHANNEL MOSFET R JCS18N50WE ABE MAIN CHARACTERISTICS Package ID 19 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.27 Qg-typ 48.7nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 5.1. Size:948K  jilin sino
 jcs18n50wh.pdf pdf_icon

JCS18N50WE

 6.1. Size:1873K  jilin sino
 jcs18n50be jcs18n50se jcs18n50ce jcs18n50fe.pdf pdf_icon

JCS18N50WE

N N- CHANNEL MOSFET R JCS18N50E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.27 Qg-typ 48.7nC Eoss @Vdss=400V 5.84mJ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS

 8.1. Size:721K  jilin sino
 jcs18n25vc jcs18n25rc jcs18n25cc jcs18n25fc.pdf pdf_icon

JCS18N50WE

N-CHANNEL MOSFET JCS18N25C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 18A VDSS 250V Rdson-max@Vgs=10V 230m Qg-typ 17.48nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JCS18N25FC, JCS18N25RC, JCS18N25VC, JCS18N50ABE, JCS18N50BE, JCS18N50CE, JCS18N50FE, JCS18N50SE, IRLB4132, JCS20N60WH, JCS20N65FEI, JCS22N50ABC, JCS22N50FC, JCS22N50WC, JCS2N60N, JCS2N65FC, JCS2N70R