JCS3N80V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS3N80V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 52 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 15.4 nC
Tiempo de subida (tr): 51 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 56 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 9.62 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
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JCS3N80V Datasheet (PDF)
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N RN-CHANNEL MOSFET JCS3N80C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 3.0 A VDSS 800 V Rdson-max 4.9 Vgs=10V Qg-typ 15.4nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE
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Liste
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