JCS3N80V Todos los transistores

 

JCS3N80V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS3N80V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9.62 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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JCS3N80V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2081K  jilin sino
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JCS3N80V

N RN-CHANNEL MOSFET JCS3N80C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 3.0 A VDSS 800 V Rdson-max 4.9 Vgs=10V Qg-typ 15.4nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

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History: AP60T03AH | 30N06G-TF3-T | STB9NK60ZD | HM2301DR | HGB012NE6A | DMP1045U

 

 
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