JCS3N80V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS3N80V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.62 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для JCS3N80V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS3N80V даташит

 ..1. Size:2081K  jilin sino
 jcs3n80v jcs3n80r jcs3n80b jcs3n80s jcs3n80c jcs3n80f jcs3n80v.pdf pdf_icon

JCS3N80V

N R N-CHANNEL MOSFET JCS3N80C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 3.0 A VDSS 800 V Rdson-max 4.9 Vgs=10V Qg-typ 15.4nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

Другие IGBT... JCS2N95RA, JCS2N95VA, JCS33N25CT, JCS3N80B, JCS3N80C, JCS3N80F, JCS3N80R, JCS3N80S, AON7506, JCS40N25ANT, JCS40N25FC, JCS40N25SC, JCS40N25WC, JCS40N25WT, JCS4AN120CA, JCS4AN120FA, JCS4AN120SA