JCS3N80V - аналоги и даташиты транзистора

 

JCS3N80V - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JCS3N80V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.62 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для JCS3N80V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS3N80V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2081K  jilin sino
 jcs3n80v jcs3n80r jcs3n80b jcs3n80s jcs3n80c jcs3n80f jcs3n80v.pdf pdf_icon

JCS3N80V

N RN-CHANNEL MOSFET JCS3N80C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 3.0 A VDSS 800 V Rdson-max 4.9 Vgs=10V Qg-typ 15.4nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

Другие MOSFET... JCS2N95RA , JCS2N95VA , JCS33N25CT , JCS3N80B , JCS3N80C , JCS3N80F , JCS3N80R , JCS3N80S , IRFP250 , JCS40N25ANT , JCS40N25FC , JCS40N25SC , JCS40N25WC , JCS40N25WT , JCS4AN120CA , JCS4AN120FA , JCS4AN120SA .

History: CS9N65D | PA910BC | TK11A55D | AOT280L | PA710ED | MMBFJ111

 

 
Back to Top

 


 
.