Справочник MOSFET. JCS3N80V

 

JCS3N80V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS3N80V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.62 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS3N80V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2081K  jilin sino
jcs3n80v jcs3n80r jcs3n80b jcs3n80s jcs3n80c jcs3n80f jcs3n80v.pdfpdf_icon

JCS3N80V

N RN-CHANNEL MOSFET JCS3N80C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 3.0 A VDSS 800 V Rdson-max 4.9 Vgs=10V Qg-typ 15.4nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2SK3483

 

 
Back to Top

 


 
.