FDY2000PZ Todos los transistores

 

FDY2000PZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDY2000PZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT563F
 

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FDY2000PZ Datasheet (PDF)

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FDY2000PZ

January 2006 FDY2000PZ Dual P-Channel ( 2.5V) Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This Dual P-Channel MOSFET has been designed 350 mA, 20 V RDS(ON) = 1.2 @ VGS = 4.5 V using Fairchild Semiconductors advanced Power RDS(ON) = 1.6 @ VGS = 2.5 V Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5v. Appl

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History: 2SK1335S | RUH120N90R

 

 
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