Справочник MOSFET. FDY2000PZ

 

FDY2000PZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDY2000PZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT563F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDY2000PZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  fairchild semi
 fdy2000pz.pdf pdf_icon

FDY2000PZ

January 2006 FDY2000PZ Dual P-Channel ( 2.5V) Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This Dual P-Channel MOSFET has been designed 350 mA, 20 V RDS(ON) = 1.2 @ VGS = 4.5 V using Fairchild Semiconductors advanced Power RDS(ON) = 1.6 @ VGS = 2.5 V Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5v. Appl

Другие MOSFET... FDT86246 , FDU3N40 , SDT03N04 , FDV305N , FDY1002PZ , FDY100PZ , FDY101PZ , FDY102PZ , 2SK3878 , FDY3000NZ , FDY300NZ , FDY301NZ , FDY302NZ , FDY4000CZ , SDT02N02 , FDZ1905PZ , FDZ191P .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.