FDY2000PZ - аналоги и даташиты транзистора

 

FDY2000PZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDY2000PZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT563F
 

 Аналог (замена) для FDY2000PZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDY2000PZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  fairchild semi
 fdy2000pz.pdf pdf_icon

FDY2000PZ

January 2006 FDY2000PZ Dual P-Channel ( 2.5V) Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This Dual P-Channel MOSFET has been designed 350 mA, 20 V RDS(ON) = 1.2 @ VGS = 4.5 V using Fairchild Semiconductors advanced Power RDS(ON) = 1.6 @ VGS = 2.5 V Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5v. Appl

Другие MOSFET... FDT86246 , FDU3N40 , SDT03N04 , FDV305N , FDY1002PZ , FDY100PZ , FDY101PZ , FDY102PZ , IRFP250N , FDY3000NZ , FDY300NZ , FDY301NZ , FDY302NZ , FDY4000CZ , SDT02N02 , FDZ1905PZ , FDZ191P .

History: 2SK1335S | SE30P12 | RUH120N90R

 

 
Back to Top

 


 
.