JCS4AN120SA Todos los transistores

 

JCS4AN120SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS4AN120SA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 286 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 39 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JCS4AN120SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:674K  jilin sino
 jcs4an120fa jcs4an120ca jcs4an120sa.pdf pdf_icon

JCS4AN120SA

N N- CHANNEL MOSFET RJCS4AN120A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4A VDSS 1200 V Rdson-max 4.0 @Vgs=10V Qg-typ 39nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

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History: BUK104-50S | SVF4N150P7 | TK31J60W5 | AOTF095A60FDL | AOT160A60L

 

 
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