JCS4AN120SA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JCS4AN120SA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 286 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для JCS4AN120SA
JCS4AN120SA Datasheet (PDF)
..1. Size:674K jilin sino
jcs4an120fa jcs4an120ca jcs4an120sa.pdf
jcs4an120fa jcs4an120ca jcs4an120sa.pdf
N N- CHANNEL MOSFET RJCS4AN120A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4A VDSS 1200 V Rdson-max 4.0 @Vgs=10V Qg-typ 39nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918