JCS4AN120SA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS4AN120SA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 286 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для JCS4AN120SA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS4AN120SA даташит

 ..1. Size:674K  jilin sino
 jcs4an120fa jcs4an120ca jcs4an120sa.pdf pdf_icon

JCS4AN120SA

N N- CHANNEL MOSFET R JCS4AN120A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4A VDSS 1200 V Rdson-max 4.0 @Vgs=10V Qg-typ 39nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

Другие IGBT... JCS3N80V, JCS40N25ANT, JCS40N25FC, JCS40N25SC, JCS40N25WC, JCS40N25WT, JCS4AN120CA, JCS4AN120FA, IRF1407, JCS4N90CA, JCS4N90FA, JCS4N90RA, JCS4N90SA, JCS4N90VA, JCS5AN50C, JCS5AN50F, JCS5AN50R