Справочник MOSFET. JCS4AN120SA

 

JCS4AN120SA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS4AN120SA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 286 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JCS4AN120SA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS4AN120SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:674K  jilin sino
 jcs4an120fa jcs4an120ca jcs4an120sa.pdf pdf_icon

JCS4AN120SA

N N- CHANNEL MOSFET RJCS4AN120A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4A VDSS 1200 V Rdson-max 4.0 @Vgs=10V Qg-typ 39nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

Другие MOSFET... JCS3N80V , JCS40N25ANT , JCS40N25FC , JCS40N25SC , JCS40N25WC , JCS40N25WT , JCS4AN120CA , JCS4AN120FA , P0903BDG , JCS4N90CA , JCS4N90FA , JCS4N90RA , JCS4N90SA , JCS4N90VA , JCS5AN50C , JCS5AN50F , JCS5AN50R .

History: IRF5305PBF | 12P10G-AA3-R | CS6N90F | IXTH3N200P3HV | KI1407DL | SVF5N65DTR | STP7N80K5

 

 
Back to Top

 


 
.