JCS5AN50R Todos los transistores

 

JCS5AN50R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS5AN50R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 91 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64.48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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JCS5AN50R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2444K  jilin sino
 jcs5an50v jcs5an50r jcs5an50c jcs5an50f.pdf pdf_icon

JCS5AN50R

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5AN50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS RdsonVgs=10V 1.45 13.2nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

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History: AP2603GY-HF | CS3N65U | SIHH14N60E | GP1M009A020XX | SSM6J51TU | BUZ73A | JMSH1509AGQ

 

 
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