JCS5AN50R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JCS5AN50R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 64.48 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для JCS5AN50R
JCS5AN50R Datasheet (PDF)
jcs5an50v jcs5an50r jcs5an50c jcs5an50f.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5AN50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS RdsonVgs=10V 1.45 13.2nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES
Другие MOSFET... JCS4AN120SA , JCS4N90CA , JCS4N90FA , JCS4N90RA , JCS4N90SA , JCS4N90VA , JCS5AN50C , JCS5AN50F , IRF530 , JCS5AN50V , JCS60N10I , JCS620CT , JCS620FT , JCS620RT , JCS620VT , JCS640SH , JCS6AN135ABA .
History: STP60NF10 | AP09N70R-A-HF | STP60NF06L | HCT7000MTXV | STP6NK50Z | SSP60R360S2E | STP5NK60ZFP
History: STP60NF10 | AP09N70R-A-HF | STP60NF06L | HCT7000MTXV | STP6NK50Z | SSP60R360S2E | STP5NK60ZFP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n