Справочник MOSFET. JCS5AN50R

 

JCS5AN50R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS5AN50R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64.48 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для JCS5AN50R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS5AN50R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2444K  jilin sino
 jcs5an50v jcs5an50r jcs5an50c jcs5an50f.pdf pdf_icon

JCS5AN50R

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5AN50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS RdsonVgs=10V 1.45 13.2nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

Другие MOSFET... JCS4AN120SA , JCS4N90CA , JCS4N90FA , JCS4N90RA , JCS4N90SA , JCS4N90VA , JCS5AN50C , JCS5AN50F , 2N60 , JCS5AN50V , JCS60N10I , JCS620CT , JCS620FT , JCS620RT , JCS620VT , JCS640SH , JCS6AN135ABA .

History: AP4533GEH-HF | 2SK891 | TSM7N90CZ | P0303BV | PTD80N06 | 13N50G-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.