JCS5AN50V Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS5AN50V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 91 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64.48 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.45 Ohm

Encapsulados: IPAK

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JCS5AN50V datasheet

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JCS5AN50V

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