JCS5AN50V Todos los transistores

 

JCS5AN50V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS5AN50V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 91 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64.48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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JCS5AN50V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2444K  jilin sino
 jcs5an50v jcs5an50r jcs5an50c jcs5an50f.pdf pdf_icon

JCS5AN50V

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5AN50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS RdsonVgs=10V 1.45 13.2nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

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History: LSB60R030HT | NVTFS052P04M8L | NTMFS4936NC | STP40NF12 | DSKTJ07 | AOI4102 | NCEP40T35ALL

 

 
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