JCS5AN50V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: JCS5AN50V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 91 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 13.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 18.1 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 64.48 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK

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JCS5AN50V Datasheet (PDF)

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jcs5an50v jcs5an50r jcs5an50c jcs5an50f.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5AN50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS RdsonVgs=10V 1.45 13.2nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

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