JCS5AN50V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JCS5AN50V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 91 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13.2 nC
Время нарастания (tr): 18.1 ns
Выходная емкость (Cd): 64.48 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.45 Ohm
Тип корпуса: IPAK
JCS5AN50V Datasheet (PDF)
..1. Size:2444K jilin sino
jcs5an50v jcs5an50r jcs5an50c jcs5an50f.pdf
jcs5an50v jcs5an50r jcs5an50c jcs5an50f.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS5AN50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS RdsonVgs=10V 1.45 13.2nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .