JCS60N10I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS60N10I
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 166 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 51 nC
Tiempo de subida (tr): 65 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 314 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS60N10I
JCS60N10I Datasheet (PDF)
jcs60n10i.pdf
N N-CHANNEL MOSFET JCS60N10I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 60A VDSS 100V Rdson-max - 16m (@Vgs=10V Qg-typ 51nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive app
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History: STD3NK60Z-1 | NCE65N260I