Справочник MOSFET. JCS60N10I

 

JCS60N10I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS60N10I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 314 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JCS60N10I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS60N10I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  jilin sino
 jcs60n10i.pdf pdf_icon

JCS60N10I

N N-CHANNEL MOSFET JCS60N10I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 60A VDSS 100V Rdson-max - 16m (@Vgs=10V Qg-typ 51nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive app

Другие MOSFET... JCS4N90FA , JCS4N90RA , JCS4N90SA , JCS4N90VA , JCS5AN50C , JCS5AN50F , JCS5AN50R , JCS5AN50V , IRFB31N20D , JCS620CT , JCS620FT , JCS620RT , JCS620VT , JCS640SH , JCS6AN135ABA , JCS6AN135WA , JCS6AN70F .

History: 13N50G-TQ2-T | SE47NS65TS | VSD004N03MS | 2N65KG-TF3-T | 1N60L-TA3-T | RJK0451DPB | AOU3N60

 

 
Back to Top

 


 
.