JCS60N10I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS60N10I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 314 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для JCS60N10I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS60N10I даташит

 ..1. Size:535K  jilin sino
 jcs60n10i.pdf pdf_icon

JCS60N10I

N N-CHANNEL MOSFET JCS60N10I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 60A VDSS 100V Rdson-max - 16m (@Vgs=10V Qg-typ 51nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive app

Другие IGBT... JCS4N90FA, JCS4N90RA, JCS4N90SA, JCS4N90VA, JCS5AN50C, JCS5AN50F, JCS5AN50R, JCS5AN50V, IRF2807, JCS620CT, JCS620FT, JCS620RT, JCS620VT, JCS640SH, JCS6AN135ABA, JCS6AN135WA, JCS6AN70F