JCS620VT Todos los transistores

 

JCS620VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS620VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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JCS620VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2100K  jilin sino
 jcs620vt jcs620rt jcs620ct jcs620ft.pdf pdf_icon

JCS620VT

N N- CHANNEL MOSFET R JCS620T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5A VDSS 200 V Rdson-max 0.8 @Vgs=10V Qg-typ 7.39nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

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History: AOD661 | NVMFD5852NL

 

 
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