JCS620VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: JCS620VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 7.39 nC
   Tiempo de subida (tr): 23.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 58 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK

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JCS620VT Datasheet (PDF)

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jcs620vt jcs620rt jcs620ct jcs620ft.pdf

N N- CHANNEL MOSFET R JCS620T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5A VDSS 200 V Rdson-max 0.8 @Vgs=10V Qg-typ 7.39nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

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Liste

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