Справочник MOSFET. JCS620VT

 

JCS620VT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JCS620VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.39 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для JCS620VT

 

 

JCS620VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2100K  jilin sino
 jcs620vt jcs620rt jcs620ct jcs620ft.pdf

JCS620VT JCS620VT

N N- CHANNEL MOSFET R JCS620T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5A VDSS 200 V Rdson-max 0.8 @Vgs=10V Qg-typ 7.39nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CEB603AL

 

 
Back to Top