Справочник MOSFET. JCS620VT

 

JCS620VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS620VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для JCS620VT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS620VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2100K  jilin sino
 jcs620vt jcs620rt jcs620ct jcs620ft.pdf pdf_icon

JCS620VT

N N- CHANNEL MOSFET R JCS620T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5A VDSS 200 V Rdson-max 0.8 @Vgs=10V Qg-typ 7.39nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

Другие MOSFET... JCS5AN50C , JCS5AN50F , JCS5AN50R , JCS5AN50V , JCS60N10I , JCS620CT , JCS620FT , JCS620RT , K2611 , JCS640SH , JCS6AN135ABA , JCS6AN135WA , JCS6AN70F , JCS6AN70R , JCS6AN70V , JCS6N70VC , JCS6N90BA .

History: HY80N075T | TSM9926DCS | 10N65KL-TF2-T | FDS7088SN3 | NCE8290B | TSF740MR | CS640FA9H

 

 
Back to Top

 


 
.