JCS620VT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS620VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для JCS620VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS620VT даташит

 ..1. Size:2100K  jilin sino
 jcs620vt jcs620rt jcs620ct jcs620ft.pdf pdf_icon

JCS620VT

N N- CHANNEL MOSFET R JCS620T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5A VDSS 200 V Rdson-max 0.8 @Vgs=10V Qg-typ 7.39nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

Другие IGBT... JCS5AN50C, JCS5AN50F, JCS5AN50R, JCS5AN50V, JCS60N10I, JCS620CT, JCS620FT, JCS620RT, 8N60, JCS640SH, JCS6AN135ABA, JCS6AN135WA, JCS6AN70F, JCS6AN70R, JCS6AN70V, JCS6N70VC, JCS6N90BA