JCS6AN70F Todos los transistores

 

JCS6AN70F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS6AN70F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 28.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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JCS6AN70F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1142K  jilin sino
 jcs6an70v jcs6an70r jcs6an70f.pdf pdf_icon

JCS6AN70F

N RN-CHANNEL MOSFET JCS6AN70E Package MAIN CHARACTERISTICS ID 6A VDSS 700V Rdson-max 1.70 Vgs=10V Qg-Typ 21.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

 8.1. Size:1043K  jilin sino
 jcs6an135aba jcs6an135wa.pdf pdf_icon

JCS6AN70F

N RN-CHANNEL MOSFET JCS6AN135A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 6 A VDSS 1350 V RdsonVgs=10V 3.5 -MAX Qg-Typ 58.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge power supplies

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