Справочник MOSFET. JCS6AN70F

 

JCS6AN70F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS6AN70F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS6AN70F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1142K  jilin sino
 jcs6an70v jcs6an70r jcs6an70f.pdf pdf_icon

JCS6AN70F

N RN-CHANNEL MOSFET JCS6AN70E Package MAIN CHARACTERISTICS ID 6A VDSS 700V Rdson-max 1.70 Vgs=10V Qg-Typ 21.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

 8.1. Size:1043K  jilin sino
 jcs6an135aba jcs6an135wa.pdf pdf_icon

JCS6AN70F

N RN-CHANNEL MOSFET JCS6AN135A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 6 A VDSS 1350 V RdsonVgs=10V 3.5 -MAX Qg-Typ 58.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge power supplies

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: R6511KNX | APT47N60BCFG | IAUC100N10S5N040 | STU601S | SSF1016A | IRFPF22 | R6076ENZ1

 

 
Back to Top

 


 
.