JCS6AN70F datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JCS6AN70F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 28.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для JCS6AN70F
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JCS6AN70F даташит
jcs6an70v jcs6an70r jcs6an70f.pdf
N R N-CHANNEL MOSFET JCS6AN70E Package MAIN CHARACTERISTICS ID 6A VDSS 700V Rdson-max 1.70 Vgs=10V Qg-Typ 21.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE
jcs6an135aba jcs6an135wa.pdf
N R N-CHANNEL MOSFET JCS6AN135A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 6 A VDSS 1350 V Rdson Vgs=10V 3.5 -MAX Qg-Typ 58.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge power supplies
Другие IGBT... JCS60N10I, JCS620CT, JCS620FT, JCS620RT, JCS620VT, JCS640SH, JCS6AN135ABA, JCS6AN135WA, IRFB31N20D, JCS6AN70R, JCS6AN70V, JCS6N70VC, JCS6N90BA, JCS6N90CA, JCS6N90FA, JCS6N90GDA, JCS6N90SA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor


