JCS70N30ABC Todos los transistores

 

JCS70N30ABC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS70N30ABC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 446 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 227.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 963 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PB
 

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JCS70N30ABC Datasheet (PDF)

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JCS70N30ABC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS70N30C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 70 A VDSS 300 V RdsonVgs=10V 40m -MAX Qg-Typ 115.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS power supp

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History: HGB200N10SL | AP6901GSM-HF | AP30P10GH | AP03N70P-A | PMPB13XNEA | IXTH2N150L | MTN7002ZHN3

 

 
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