Справочник MOSFET. JCS70N30ABC

 

JCS70N30ABC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JCS70N30ABC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 115.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 227.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 963 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO3PB

 Аналог (замена) для JCS70N30ABC

 

 

JCS70N30ABC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  jilin sino
 jcs70n30wc jcs70n30abc.pdf

JCS70N30ABC JCS70N30ABC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS70N30C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 70 A VDSS 300 V RdsonVgs=10V 40m -MAX Qg-Typ 115.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS power supp

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MMBF5484

 

 
Back to Top