JCS70N30ABC - аналоги и даташиты транзистора

 

JCS70N30ABC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JCS70N30ABC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 227.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 963 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO3PB
 

 Аналог (замена) для JCS70N30ABC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS70N30ABC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  jilin sino
 jcs70n30wc jcs70n30abc.pdf pdf_icon

JCS70N30ABC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS70N30C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 70 A VDSS 300 V RdsonVgs=10V 40m -MAX Qg-Typ 115.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS power supp

Другие MOSFET... JCS6AN70R , JCS6AN70V , JCS6N70VC , JCS6N90BA , JCS6N90CA , JCS6N90FA , JCS6N90GDA , JCS6N90SA , 8N60 , JCS70N30WC , JCS7N120ABA , JCS7N120WA , JCS7N60R , JCS7N60V , JCS7N65BE , JCS7N65CE , JCS7N65FE .

History: FTK1013 | 2SK893 | FHU5N60A | IRLI3803P | AP9465AGH | SPA08N50C3 | BUK9Y19-100E

 

 
Back to Top

 


 
.