JCS70N30ABC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS70N30ABC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 227.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 963 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO3PB

Аналог (замена) для JCS70N30ABC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS70N30ABC даташит

 ..1. Size:911K  jilin sino
 jcs70n30wc jcs70n30abc.pdf pdf_icon

JCS70N30ABC

N R N-CHANNEL MOSFET JCS70N30C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 70 A VDSS 300 V Rdson Vgs=10V 40m -MAX Qg-Typ 115.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS power supp

Другие IGBT... JCS6AN70R, JCS6AN70V, JCS6N70VC, JCS6N90BA, JCS6N90CA, JCS6N90FA, JCS6N90GDA, JCS6N90SA, IRFB7545, JCS70N30WC, JCS7N120ABA, JCS7N120WA, JCS7N60R, JCS7N60V, JCS7N65BE, JCS7N65CE, JCS7N65FE