JCS7N60V Todos los transistores

 

JCS7N60V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS7N60V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

JCS7N60V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1774K  jilin sino
 jcs7n60v jcs7n60r jcs7n60f jcs7n60c jcs7n60b jcs7n60s.pdf pdf_icon

JCS7N60V

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N60E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max1.0 @Vgs=10V Qg-typ 23 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 7.1. Size:755K  jilin sino
 jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf pdf_icon

JCS7N60V

N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS7N60 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A 600 V VDSS 1.2 &! Rdson@Vgs=10V54 nC Qg APPLICATIONS (u High efficiency switch

 7.2. Size:904K  jilin sino
 jcs7n60bb jcs7n60sb jcs7n60cb jcs7n60fb.pdf pdf_icon

JCS7N60V

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.2 @Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge L

 8.1. Size:600K  jilin sino
 jcs7n65.pdf pdf_icon

JCS7N60V

N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS7N65B ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS \ Package ID 7.0 A 650 V VDSS 1.3 &! Rdson@Vgs=10V25 nC Qg APPLICATIONS (u High efficiency switch

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History: AP40N03GP | IPAN60R280P7S | 2SK1314L | PJA3441 | HM4922 | AP4506GEM | RF4C100BC

 

 
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