JCS7N60V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS7N60V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для JCS7N60V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS7N60V даташит

 ..1. Size:1774K  jilin sino
 jcs7n60v jcs7n60r jcs7n60f jcs7n60c jcs7n60b jcs7n60s.pdf pdf_icon

JCS7N60V

 7.1. Size:755K  jilin sino
 jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf pdf_icon

JCS7N60V

 7.2. Size:904K  jilin sino
 jcs7n60bb jcs7n60sb jcs7n60cb jcs7n60fb.pdf pdf_icon

JCS7N60V

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.2 @Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge L

 8.1. Size:600K  jilin sino
 jcs7n65.pdf pdf_icon

JCS7N60V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JCS6N90FA, JCS6N90GDA, JCS6N90SA, JCS70N30ABC, JCS70N30WC, JCS7N120ABA, JCS7N120WA, JCS7N60R, MMIS60R580P, JCS7N65BE, JCS7N65CE, JCS7N65FE, JCS7N65RE, JCS7N65SE, JCS7N65VE, JCS7N70B, JCS7N70C