JCS7N65BE Todos los transistores

 

JCS7N65BE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS7N65BE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
     - Selección de transistores por parámetros

 

JCS7N65BE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2018K  jilin sino
 jcs7n65ve jcs7n65re jcs7n65ce jcs7n65se jcs7n65be jcs7n65fe.pdf pdf_icon

JCS7N65BE

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N65E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 650 V Rdson-max1.1 @Vgs=10V Qg-typ 23 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 6.1. Size:757K  jilin sino
 jcs7n65bb jcs7n65sb jcs7n65cb jcs7n65fb.pdf pdf_icon

JCS7N65BE

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N65B MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 650 V Package Rdson-max 1.3 (@Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 7.1. Size:600K  jilin sino
 jcs7n65.pdf pdf_icon

JCS7N65BE

N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS7N65B ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS \ Package ID 7.0 A 650 V VDSS 1.3 &! Rdson@Vgs=10V25 nC Qg APPLICATIONS (u High efficiency switch

 8.1. Size:755K  jilin sino
 jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf pdf_icon

JCS7N65BE

N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS7N60 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A 600 V VDSS 1.2 &! Rdson@Vgs=10V54 nC Qg APPLICATIONS (u High efficiency switch

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History: SMK0765F | IRFN150SMD | IRLHS6242PBF | TPCS8212 | NTH4L040N120SC1 | 2N6904 | IXTA102N15T

 

 
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