Справочник MOSFET. JCS7N65BE

 

JCS7N65BE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JCS7N65BE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 33.6 ns
   Выходная емкость (Cd): 105 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для JCS7N65BE

 

 

JCS7N65BE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2018K  jilin sino
jcs7n65ve jcs7n65re jcs7n65ce jcs7n65se jcs7n65be jcs7n65fe.pdf

JCS7N65BE JCS7N65BE

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N65E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 650 V Rdson-max1.1 @Vgs=10V Qg-typ 23 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 6.1. Size:757K  jilin sino
jcs7n65bb jcs7n65sb jcs7n65cb jcs7n65fb.pdf

JCS7N65BE JCS7N65BE

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N65B MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 650 V Package Rdson-max 1.3 (@Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 7.1. Size:600K  jilin sino
jcs7n65.pdf

JCS7N65BE JCS7N65BE

N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS7N65B ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS \ Package ID 7.0 A 650 V VDSS 1.3 &! Rdson@Vgs=10V25 nC Qg APPLICATIONS (u High efficiency switch

 8.1. Size:755K  jilin sino
jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf

JCS7N65BE JCS7N65BE

N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS7N60 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A 600 V VDSS 1.2 &! Rdson@Vgs=10V54 nC Qg APPLICATIONS (u High efficiency switch

 8.2. Size:904K  jilin sino
jcs7n60bb jcs7n60sb jcs7n60cb jcs7n60fb.pdf

JCS7N65BE JCS7N65BE

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.2 @Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge L

 8.3. Size:1774K  jilin sino
jcs7n60v jcs7n60r jcs7n60f jcs7n60c jcs7n60b jcs7n60s.pdf

JCS7N65BE JCS7N65BE

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N60E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max1.0 @Vgs=10V Qg-typ 23 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top