FDY4000CZ Todos los transistores

 

FDY4000CZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDY4000CZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT563F
 

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FDY4000CZ datasheet

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FDY4000CZ

November 2009 FDY4000CZ Complementary N & P-Channel PowerTrench MOSFET Features General Description Q1 N-Channel This Complementary N & P-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor s advanced Power Max rDS(on) 0.7 at VGS = 4.5V, ID = 600mA Trench process to optimize the rDS(ON) @ VGS= 2.5V and Max rDS(on) 0.85 at VGS = 2.5V, ID = 500mA specify th

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FDY4000CZ

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Otros transistores... FDY100PZ , FDY101PZ , FDY102PZ , FDY2000PZ , FDY3000NZ , FDY300NZ , FDY301NZ , FDY302NZ , STP75NF75 , SDT02N02 , FDZ1905PZ , FDZ191P , FDZ192NZ , FDZ193P , FDZ197PZ , FDZ371PZ , FDZ372NZ .

 

 
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