FDY4000CZ Todos los transistores

 

FDY4000CZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDY4000CZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT563F
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDY4000CZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  fairchild semi
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FDY4000CZ

November 2009FDY4000CZComplementary N & P-Channel PowerTrenchMOSFET Features General DescriptionQ1: N-Channel This Complementary N & P-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductors advanced Power Max rDS(on) 0.7 at VGS = 4.5V, ID = 600mATrench process to optimize the rDS(ON) @ VGS= 2.5V and Max rDS(on) 0.85 at VGS = 2.5V, ID = 500mAspecify th

 ..2. Size:345K  onsemi
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FDY4000CZ

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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