FDY4000CZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDY4000CZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT563F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDY4000CZ

FDY4000CZ Datasheet (PDF)

..1. Size:230K fairchild semi
fdy4000cz.pdf

November 2009FDY4000CZComplementary N & P-Channel PowerTrenchMOSFET Features General DescriptionQ1: N-Channel This Complementary N & P-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductors advanced Power Max rDS(on) 0.7 at VGS = 4.5V, ID = 600mATrench process to optimize the rDS(ON) @ VGS= 2.5V and Max rDS(on) 0.85 at VGS = 2.5V, ID = 500mAspecify th

..2. Size:345K onsemi
fdy4000cz.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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Liste

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