Справочник MOSFET. FDY4000CZ

 

FDY4000CZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDY4000CZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT563F

 Аналог (замена) для FDY4000CZ

 

 

FDY4000CZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  fairchild semi
 fdy4000cz.pdf

FDY4000CZ FDY4000CZ

November 2009FDY4000CZComplementary N & P-Channel PowerTrenchMOSFET Features General DescriptionQ1: N-Channel This Complementary N & P-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductors advanced Power Max rDS(on) 0.7 at VGS = 4.5V, ID = 600mATrench process to optimize the rDS(ON) @ VGS= 2.5V and Max rDS(on) 0.85 at VGS = 2.5V, ID = 500mAspecify th

 ..2. Size:345K  onsemi
 fdy4000cz.pdf

FDY4000CZ FDY4000CZ

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FDY100PZ , FDY101PZ , FDY102PZ , FDY2000PZ , FDY3000NZ , FDY300NZ , FDY301NZ , FDY302NZ , IRFP250N , SDT02N02 , FDZ1905PZ , FDZ191P , FDZ192NZ , FDZ193P , FDZ197PZ , FDZ371PZ , FDZ372NZ .

 

 
Back to Top