JCS80N10I Todos los transistores

 

JCS80N10I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS80N10I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 208 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 70 nC
   Tiempo de subida (tr): 86 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 440 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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JCS80N10I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1114K  jilin sino
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JCS80N10I JCS80N10I

N N-CHANNEL MOSFET JCS80N10I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 100V Rdson-typ - 9.5m (@Vgs=10V Qg-typ 70nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive ap

 8.1. Size:1245K  jilin sino
jcs80n08i.pdf

JCS80N10I JCS80N10I

N RN-CHANNEL MOSFET JCS80N08I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 80V Rdson-max - 9m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive ap

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