JCS80N10I Todos los transistores

 

JCS80N10I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS80N10I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 86 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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JCS80N10I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1114K  jilin sino
 jcs80n10i.pdf pdf_icon

JCS80N10I

N N-CHANNEL MOSFET JCS80N10I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 100V Rdson-typ - 9.5m (@Vgs=10V Qg-typ 70nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive ap

 8.1. Size:1245K  jilin sino
 jcs80n08i.pdf pdf_icon

JCS80N10I

N RN-CHANNEL MOSFET JCS80N08I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 80V Rdson-max - 9m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive ap

Otros transistores... JCS7N70S , JCS7N70V , JCS7N80FC , JCS7N95ABA , JCS7N95CA , JCS7N95FA , JCS7N95SA , JCS80N08I , IRF640N , JCS86N25ABT , JCS86N25GCT , JCS86N25WT , JCS90N10I , JCS9AN50CC , JCS9AN50FC , JCS9AN50RC , JCS9AN50VC .

History: SL20N10 | AOD2904 | 2SK526

 

 
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