JCS80N10I Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS80N10I

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 86 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: TO220

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JCS80N10I datasheet

 ..1. Size:1114K  jilin sino
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JCS80N10I

N N-CHANNEL MOSFET JCS80N10I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 100V Rdson-typ - 9.5m (@Vgs=10V Qg-typ 70nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive ap

 8.1. Size:1245K  jilin sino
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JCS80N10I

N R N-CHANNEL MOSFET JCS80N08I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 80V Rdson-max - 9m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive ap

Otros transistores... JCS7N70S, JCS7N70V, JCS7N80FC, JCS7N95ABA, JCS7N95CA, JCS7N95FA, JCS7N95SA, JCS80N08I, IRFB4110, JCS86N25ABT, JCS86N25GCT, JCS86N25WT, JCS90N10I, JCS9AN50CC, JCS9AN50FC, JCS9AN50RC, JCS9AN50VC