JCS80N10I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS80N10I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для JCS80N10I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS80N10I даташит

 ..1. Size:1114K  jilin sino
 jcs80n10i.pdf pdf_icon

JCS80N10I

N N-CHANNEL MOSFET JCS80N10I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 100V Rdson-typ - 9.5m (@Vgs=10V Qg-typ 70nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive ap

 8.1. Size:1245K  jilin sino
 jcs80n08i.pdf pdf_icon

JCS80N10I

N R N-CHANNEL MOSFET JCS80N08I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 80V Rdson-max - 9m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive ap

Другие IGBT... JCS7N70S, JCS7N70V, JCS7N80FC, JCS7N95ABA, JCS7N95CA, JCS7N95FA, JCS7N95SA, JCS80N08I, IRFB4110, JCS86N25ABT, JCS86N25GCT, JCS86N25WT, JCS90N10I, JCS9AN50CC, JCS9AN50FC, JCS9AN50RC, JCS9AN50VC