Справочник MOSFET. JCS80N10I

 

JCS80N10I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS80N10I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JCS80N10I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS80N10I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1114K  jilin sino
 jcs80n10i.pdf pdf_icon

JCS80N10I

N N-CHANNEL MOSFET JCS80N10I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 100V Rdson-typ - 9.5m (@Vgs=10V Qg-typ 70nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive ap

 8.1. Size:1245K  jilin sino
 jcs80n08i.pdf pdf_icon

JCS80N10I

N RN-CHANNEL MOSFET JCS80N08I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 80V Rdson-max - 9m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive ap

Другие MOSFET... JCS7N70S , JCS7N70V , JCS7N80FC , JCS7N95ABA , JCS7N95CA , JCS7N95FA , JCS7N95SA , JCS80N08I , IRF640N , JCS86N25ABT , JCS86N25GCT , JCS86N25WT , JCS90N10I , JCS9AN50CC , JCS9AN50FC , JCS9AN50RC , JCS9AN50VC .

 

 
Back to Top

 


 
.