JCS86N25GCT Todos los transistores

 

JCS86N25GCT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS86N25GCT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 788 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 734 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PLT
 

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JCS86N25GCT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  jilin sino
 jcs86n25wt jcs86n25abt jcs86n25gct.pdf pdf_icon

JCS86N25GCT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS86N25T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 86 A VDSS 250 V RdsonVgs=10V 50m -MAX Qg-Typ 123 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS power suppli

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History: SI7892BDP | AFP3407S | 2N65KL-TM3-T | DMP25H18DLFDE | 2SK880BL | 2SJ292 | IRF3808

 

 
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