JCS86N25GCT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS86N25GCT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 788 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 734 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO3PLT

 Búsqueda de reemplazo de JCS86N25GCT MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JCS86N25GCT datasheet

 ..1. Size:543K  jilin sino
 jcs86n25wt jcs86n25abt jcs86n25gct.pdf pdf_icon

JCS86N25GCT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS86N25T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 86 A VDSS 250 V Rdson Vgs=10V 50m -MAX Qg-Typ 123 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS power suppli

Otros transistores... JCS7N80FC, JCS7N95ABA, JCS7N95CA, JCS7N95FA, JCS7N95SA, JCS80N08I, JCS80N10I, JCS86N25ABT, IRFP260N, JCS86N25WT, JCS90N10I, JCS9AN50CC, JCS9AN50FC, JCS9AN50RC, JCS9AN50VC, JCS9N95CA, JCS9N95FA