Справочник MOSFET. JCS86N25GCT

 

JCS86N25GCT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS86N25GCT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 788 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 734 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO3PLT
 

 Аналог (замена) для JCS86N25GCT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS86N25GCT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  jilin sino
 jcs86n25wt jcs86n25abt jcs86n25gct.pdf pdf_icon

JCS86N25GCT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS86N25T MAIN CHARACTERISTICS Package ID 86 A VDSS 250 V RdsonVgs=10V 50m -MAX Qg-Typ 123 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS power suppli

Другие MOSFET... JCS7N80FC , JCS7N95ABA , JCS7N95CA , JCS7N95FA , JCS7N95SA , JCS80N08I , JCS80N10I , JCS86N25ABT , 10N60 , JCS86N25WT , JCS90N10I , JCS9AN50CC , JCS9AN50FC , JCS9AN50RC , JCS9AN50VC , JCS9N95CA , JCS9N95FA .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.