SDT02N02 Todos los transistores

 

SDT02N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SDT02N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.98 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

 Búsqueda de reemplazo de SDT02N02 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SDT02N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  samhop
 sdt02n02.pdf pdf_icon

SDT02N02

GreenProductSDT02N02aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) () TypR ugged and reliable.S urface Mount Package.200V 2A 2.5 @ VGS=10VD G GSS SOT-223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Paramet

Otros transistores... FDY101PZ , FDY102PZ , FDY2000PZ , FDY3000NZ , FDY300NZ , FDY301NZ , FDY302NZ , FDY4000CZ , K4145 , FDZ1905PZ , FDZ191P , FDZ192NZ , FDZ193P , FDZ197PZ , FDZ371PZ , FDZ372NZ , FDZ375P .

History: WST2005 | RU7582S | SSS5N60 | FDP18N20F | IXTM67N10 | FDS6984AS

 

 
Back to Top

 


 
.