SDT02N02 Todos los transistores

 

SDT02N02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SDT02N02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.98 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.1 Ohm

Encapsulados: SOT223

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SDT02N02 datasheet

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SDT02N02

Green Product SDT02N02 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ R ugged and reliable. S urface Mount Package. 200V 2A 2.5 @ VGS=10V D G G S S SOT-223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted) Symbol Paramet

Otros transistores... FDY101PZ , FDY102PZ , FDY2000PZ , FDY3000NZ , FDY300NZ , FDY301NZ , FDY302NZ , FDY4000CZ , 2N7002 , FDZ1905PZ , FDZ191P , FDZ192NZ , FDZ193P , FDZ197PZ , FDZ371PZ , FDZ372NZ , FDZ375P .

History: BUK663R2-40C

 

 

 

 

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