SDT02N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDT02N02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.98 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 1.5 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 38 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SDT02N02
SDT02N02 Datasheet (PDF)
sdt02n02.pdf
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