SDT02N02 - описание и поиск аналогов

 

SDT02N02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDT02N02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.98 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.1 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для SDT02N02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDT02N02 даташит

 ..1. Size:124K  samhop
 sdt02n02.pdf pdf_icon

SDT02N02

Green Product SDT02N02 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ R ugged and reliable. S urface Mount Package. 200V 2A 2.5 @ VGS=10V D G G S S SOT-223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted) Symbol Paramet

Другие MOSFET... FDY101PZ , FDY102PZ , FDY2000PZ , FDY3000NZ , FDY300NZ , FDY301NZ , FDY302NZ , FDY4000CZ , 2N7002 , FDZ1905PZ , FDZ191P , FDZ192NZ , FDZ193P , FDZ197PZ , FDZ371PZ , FDZ372NZ , FDZ375P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.