Справочник MOSFET. SDT02N02

 

SDT02N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDT02N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.98 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для SDT02N02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDT02N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  samhop
 sdt02n02.pdf pdf_icon

SDT02N02

GreenProductSDT02N02aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) () TypR ugged and reliable.S urface Mount Package.200V 2A 2.5 @ VGS=10VD G GSS SOT-223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Paramet

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXTM12N90 | IRLI3803 | BL4N80K-A | FDS6892A | IXTP28P065T | IRLD120

 

 
Back to Top

 


 
.