Справочник MOSFET. SDT02N02

 

SDT02N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDT02N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.98 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для SDT02N02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDT02N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  samhop
 sdt02n02.pdf pdf_icon

SDT02N02

GreenProductSDT02N02aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) () TypR ugged and reliable.S urface Mount Package.200V 2A 2.5 @ VGS=10VD G GSS SOT-223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Paramet

Другие MOSFET... FDY101PZ , FDY102PZ , FDY2000PZ , FDY3000NZ , FDY300NZ , FDY301NZ , FDY302NZ , FDY4000CZ , K4145 , FDZ1905PZ , FDZ191P , FDZ192NZ , FDZ193P , FDZ197PZ , FDZ371PZ , FDZ372NZ , FDZ375P .

History: FDS8978 | SSS6N90A | SSF70N10A | BL4N80K-P | IRFI640G | SML8075BN | NTD6415AN

 

 
Back to Top

 


 
.