SDT02N02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SDT02N02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.98 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Общий заряд затвора (Qg): 1.5 nC
Выходная емкость (Cd): 38 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.1 Ohm
Тип корпуса: SOT223
SDT02N02 Datasheet (PDF)
..1. Size:124K samhop
sdt02n02.pdf
sdt02n02.pdf
GreenProductSDT02N02aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDSS ID RDS(ON) () TypR ugged and reliable.S urface Mount Package.200V 2A 2.5 @ VGS=10VD G GSS SOT-223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Paramet
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
