JCS9AN50VC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS9AN50VC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 121 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: IPAK

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JCS9AN50VC datasheet

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 jcs9an50vc jcs9an50rc jcs9an50cc jcs9an50fc.pdf pdf_icon

JCS9AN50VC

N R N-CHANNEL MOSFET JCS9AN50C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9 A VDSS 500 V Rdson-max 0.75 @Vgs=10V Qg-typ 18.9 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEAT

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