JCS9AN50VC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS9AN50VC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 121 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для JCS9AN50VC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS9AN50VC даташит

 ..1. Size:2042K  jilin sino
 jcs9an50vc jcs9an50rc jcs9an50cc jcs9an50fc.pdf pdf_icon

JCS9AN50VC

N R N-CHANNEL MOSFET JCS9AN50C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9 A VDSS 500 V Rdson-max 0.75 @Vgs=10V Qg-typ 18.9 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEAT

Другие IGBT... JCS80N10I, JCS86N25ABT, JCS86N25GCT, JCS86N25WT, JCS90N10I, JCS9AN50CC, JCS9AN50FC, JCS9AN50RC, IRFB4115, JCS9N95CA, JCS9N95FA, JCS9N95WA, MC08N005C, MC08N005R, MC08N005S, MC10N005, MC10N006