Справочник MOSFET. JCS9AN50VC

 

JCS9AN50VC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS9AN50VC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 121 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для JCS9AN50VC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS9AN50VC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2042K  jilin sino
 jcs9an50vc jcs9an50rc jcs9an50cc jcs9an50fc.pdf pdf_icon

JCS9AN50VC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS9AN50C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9 A VDSS 500 V Rdson-max 0.75 @Vgs=10V Qg-typ 18.9 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEAT

Другие MOSFET... JCS80N10I , JCS86N25ABT , JCS86N25GCT , JCS86N25WT , JCS90N10I , JCS9AN50CC , JCS9AN50FC , JCS9AN50RC , IRFP250N , JCS9N95CA , JCS9N95FA , JCS9N95WA , MC08N005C , MC08N005R , MC08N005S , MC10N005 , MC10N006 .

 

 
Back to Top

 


 
.