MC08N005C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MC08N005C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 135 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 81.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 665 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MC08N005C MOSFET
MC08N005C Datasheet (PDF)
mc08n005c mc08n005s mc08n005r.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MC08N005 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 135A VDSS 85V Rdson_max 5.5m Vgs=10V Qg-typ 74.6nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/D
Otros transistores... JCS90N10I , JCS9AN50CC , JCS9AN50FC , JCS9AN50RC , JCS9AN50VC , JCS9N95CA , JCS9N95FA , JCS9N95WA , STP75NF75 , MC08N005R , MC08N005S , MC10N005 , MC10N006 , MC10N007L , MC10N020 , MC10N020AL , MC11N005 .
History: 8N65KL-TA3-T | NCE65N900R | 2SK1347 | APT5010B2FLLG | MPSC70M290 | HMS100N85D | SIA906EDJ
History: 8N65KL-TA3-T | NCE65N900R | 2SK1347 | APT5010B2FLLG | MPSC70M290 | HMS100N85D | SIA906EDJ



Liste
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