MC08N005C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MC08N005C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 178 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 85 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 135 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 74.6 nC
   Tiempo de subida (tr): 81.4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 665 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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MC08N005C Datasheet (PDF)

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mc08n005c mc08n005s mc08n005r.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MC08N005 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 135A VDSS 85V Rdson_max 5.5m Vgs=10V Qg-typ 74.6nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/D

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History: SIHG47N60AEF

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