MC08N005C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MC08N005C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 81.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MC08N005C Datasheet (PDF)
mc08n005c mc08n005s mc08n005r.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MC08N005 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 135A VDSS 85V Rdson_max 5.5m Vgs=10V Qg-typ 74.6nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/D
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SI3460DV | BSC032N03SG | STT6602 | BF964S | AP60WN720I | 6N65 | SFF11N80M
History: SI3460DV | BSC032N03SG | STT6602 | BF964S | AP60WN720I | 6N65 | SFF11N80M



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830