Справочник MOSFET. MC08N005C

 

MC08N005C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MC08N005C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 81.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MC08N005C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3314K  jilin sino
mc08n005c mc08n005s mc08n005r.pdfpdf_icon

MC08N005C

N N-CHANNEL MOSFET MC08N005 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 135A VDSS 85V Rdson_max 5.5m Vgs=10V Qg-typ 74.6nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/D

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SI3460DV | BSC032N03SG | STT6602 | BF964S | AP60WN720I | 6N65 | SFF11N80M

 

 
Back to Top

 


 
.