MC08N005S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MC08N005S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 135 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 81.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 665 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MC08N005S MOSFET
MC08N005S Datasheet (PDF)
mc08n005c mc08n005s mc08n005r.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MC08N005 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 135A VDSS 85V Rdson_max 5.5m Vgs=10V Qg-typ 74.6nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/D
Otros transistores... JCS9AN50FC , JCS9AN50RC , JCS9AN50VC , JCS9N95CA , JCS9N95FA , JCS9N95WA , MC08N005C , MC08N005R , 7N65 , MC10N005 , MC10N006 , MC10N007L , MC10N020 , MC10N020AL , MC11N005 , MG065R060 , MG120R040 .
History: AP9477GK-HF | SIR870DP | GSM8988W | UPA1952 | 2SK3305 | P1350ETF
History: AP9477GK-HF | SIR870DP | GSM8988W | UPA1952 | 2SK3305 | P1350ETF



Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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