MC08N005S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MC08N005S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 81.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для MC08N005S
MC08N005S Datasheet (PDF)
mc08n005c mc08n005s mc08n005r.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MC08N005 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 135A VDSS 85V Rdson_max 5.5m Vgs=10V Qg-typ 74.6nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/D
Другие MOSFET... JCS9AN50FC , JCS9AN50RC , JCS9AN50VC , JCS9N95CA , JCS9N95FA , JCS9N95WA , MC08N005C , MC08N005R , IRF9540 , MC10N005 , MC10N006 , MC10N007L , MC10N020 , MC10N020AL , MC11N005 , MG065R060 , MG120R040 .
History: JCS9N95WA | UPA1902 | INJ0203BC1
History: JCS9N95WA | UPA1902 | INJ0203BC1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193