Справочник MOSFET. MC08N005S

 

MC08N005S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MC08N005S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 81.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для MC08N005S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MC08N005S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3314K  jilin sino
 mc08n005c mc08n005s mc08n005r.pdf pdf_icon

MC08N005S

N N-CHANNEL MOSFET MC08N005 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 135A VDSS 85V Rdson_max 5.5m Vgs=10V Qg-typ 74.6nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/D

Другие MOSFET... JCS9AN50FC , JCS9AN50RC , JCS9AN50VC , JCS9N95CA , JCS9N95FA , JCS9N95WA , MC08N005C , MC08N005R , 7N65 , MC10N005 , MC10N006 , MC10N007L , MC10N020 , MC10N020AL , MC11N005 , MG065R060 , MG120R040 .

History: SPB04N60S5 | PJW1NA80

 

 
Back to Top

 


 
.