MC11N005 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MC11N005

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 114 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 171 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO220

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MC11N005 datasheet

 ..1. Size:1932K  jilin sino
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MC11N005

N N-CHANNEL MOSFET MC11N005 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 171A VDSS 114V Rdson max - 5m (@Vgs=10V Qg-typ 105nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/DC

 9.1. Size:567K  fuji
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MC11N005

FMC11N60E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise T-Pack(S) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

Otros transistores... MC08N005C, MC08N005R, MC08N005S, MC10N005, MC10N006, MC10N007L, MC10N020, MC10N020AL, IRF9540N, MG065R060, MG120R040, MG120R080, MP10N50EI, MP10N60EIB, MP10N60EIC, MP10N60EIF, MP10N60EIS