Справочник MOSFET. MC11N005

 

MC11N005 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MC11N005
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 114 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 171 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 105 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для MC11N005

 

 

MC11N005 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1932K  jilin sino
 mc11n005.pdf

MC11N005 MC11N005

N N-CHANNEL MOSFET MC11N005 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 171A VDSS 114V Rdson max - 5m (@Vgs=10V Qg-typ 105nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/DC

 9.1. Size:567K  fuji
 fmc11n60e.pdf

MC11N005 MC11N005

FMC11N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(S)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: HM4423

 

 
Back to Top