Справочник MOSFET. MC11N005

 

MC11N005 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MC11N005
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 114 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 171 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 105 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MC11N005

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MC11N005 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1932K  jilin sino
 mc11n005.pdf pdf_icon

MC11N005

N N-CHANNEL MOSFET MC11N005 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 171A VDSS 114V Rdson max - 5m (@Vgs=10V Qg-typ 105nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/DC

 9.1. Size:567K  fuji
 fmc11n60e.pdf pdf_icon

MC11N005

FMC11N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseT-Pack(S)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.5V)

Другие MOSFET... MC08N005C , MC08N005R , MC08N005S , MC10N005 , MC10N006 , MC10N007L , MC10N020 , MC10N020AL , IRF1010E , MG065R060 , MG120R040 , MG120R080 , MP10N50EI , MP10N60EIB , MP10N60EIC , MP10N60EIF , MP10N60EIS .

History: AP9412BGM | AONS32106 | FQU9N25TU

 

 
Back to Top

 


 
.