MC11N005 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MC11N005

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 114 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 171 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для MC11N005

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MC11N005 даташит

 ..1. Size:1932K  jilin sino
 mc11n005.pdf pdf_icon

MC11N005

N N-CHANNEL MOSFET MC11N005 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 171A VDSS 114V Rdson max - 5m (@Vgs=10V Qg-typ 105nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Telecom and DC/DC Industrial Synchronous Rectification DC/DC

 9.1. Size:567K  fuji
 fmc11n60e.pdf pdf_icon

MC11N005

FMC11N60E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise T-Pack(S) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

Другие IGBT... MC08N005C, MC08N005R, MC08N005S, MC10N005, MC10N006, MC10N007L, MC10N020, MC10N020AL, IRF9540N, MG065R060, MG120R040, MG120R080, MP10N50EI, MP10N60EIB, MP10N60EIC, MP10N60EIF, MP10N60EIS