MG065R060 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG065R060
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247-4L
Búsqueda de reemplazo de MG065R060 MOSFET
MG065R060 Datasheet (PDF)
mg065r060.pdf

N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET RMG065R060 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 30A VCE 650V Rdson-typ 65M @Vgs=20V Qg-typ 65nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters
Otros transistores... MC08N005R , MC08N005S , MC10N005 , MC10N006 , MC10N007L , MC10N020 , MC10N020AL , MC11N005 , 2N7000 , MG120R040 , MG120R080 , MP10N50EI , MP10N60EIB , MP10N60EIC , MP10N60EIF , MP10N60EIS , MP15N60EIB .
History: SLF60R650S2 | LND08R055W3 | JCS2N70V | UTM4052L-S08-R | 2N65KL-TF1-T | AOW12N60
History: SLF60R650S2 | LND08R055W3 | JCS2N70V | UTM4052L-S08-R | 2N65KL-TF1-T | AOW12N60



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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