MG065R060 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MG065R060

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TO247-4L

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MG065R060 datasheet

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MG065R060

N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET R MG065R060 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 30A VCE 650V Rdson-typ 65M @Vgs=20V Qg-typ 65nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters

Otros transistores... MC08N005R, MC08N005S, MC10N005, MC10N006, MC10N007L, MC10N020, MC10N020AL, MC11N005, IRF4905, MG120R040, MG120R080, MP10N50EI, MP10N60EIB, MP10N60EIC, MP10N60EIF, MP10N60EIS, MP15N60EIB