MG065R060 Todos los transistores

 

MG065R060 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG065R060
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247-4L
 

 Búsqueda de reemplazo de MG065R060 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MG065R060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:942K  jilin sino
 mg065r060.pdf pdf_icon

MG065R060

N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET RMG065R060 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 30A VCE 650V Rdson-typ 65M @Vgs=20V Qg-typ 65nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters

Otros transistores... MC08N005R , MC08N005S , MC10N005 , MC10N006 , MC10N007L , MC10N020 , MC10N020AL , MC11N005 , IRF4905 , MG120R040 , MG120R080 , MP10N50EI , MP10N60EIB , MP10N60EIC , MP10N60EIF , MP10N60EIS , MP15N60EIB .

History: MG120R040 | SSF13N50F

 

 
Back to Top

 


 
.