MG065R060 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MG065R060

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO247-4L

Аналог (замена) для MG065R060

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MG065R060 даташит

 ..1. Size:942K  jilin sino
 mg065r060.pdf pdf_icon

MG065R060

N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET R MG065R060 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 30A VCE 650V Rdson-typ 65M @Vgs=20V Qg-typ 65nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters

Другие IGBT... MC08N005R, MC08N005S, MC10N005, MC10N006, MC10N007L, MC10N020, MC10N020AL, MC11N005, IRF4905, MG120R040, MG120R080, MP10N50EI, MP10N60EIB, MP10N60EIC, MP10N60EIF, MP10N60EIS, MP15N60EIB