Справочник MOSFET. MG065R060

 

MG065R060 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MG065R060
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4L
 

 Аналог (замена) для MG065R060

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MG065R060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:942K  jilin sino
 mg065r060.pdf pdf_icon

MG065R060

N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET RMG065R060 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 30A VCE 650V Rdson-typ 65M @Vgs=20V Qg-typ 65nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters

Другие MOSFET... MC08N005R , MC08N005S , MC10N005 , MC10N006 , MC10N007L , MC10N020 , MC10N020AL , MC11N005 , IRF4905 , MG120R040 , MG120R080 , MP10N50EI , MP10N60EIB , MP10N60EIC , MP10N60EIF , MP10N60EIS , MP15N60EIB .

History: 17P10L-TF1-T | TPP80R750C | NCE60N1K0F | 2SK404 | AO7415 | IXTT20N50D | APM3009NG

 

 
Back to Top

 


 
.