Справочник MOSFET. MG065R060

 

MG065R060 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MG065R060
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MG065R060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:942K  jilin sino
mg065r060.pdfpdf_icon

MG065R060

N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET RMG065R060 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 30A VCE 650V Rdson-typ 65M @Vgs=20V Qg-typ 65nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WML16N70SR | BRCS140P03YB | IRFI3710 | AP05FN50I | RCX160N20 | MCH6603 | FMI16N50ES

 

 
Back to Top

 


 
.