MG120R040 Todos los transistores

 

MG120R040 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG120R040
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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MG120R040 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  jilin sino
 mg120r040.pdf pdf_icon

MG120R040

N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET RMG120R040 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 60A VCE 1200V Rdson-typ 45 m @Vgs=18V Qg-typ 128nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters

 7.1. Size:882K  jilin sino
 mg120r080.pdf pdf_icon

MG120R040

N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET RMG120R080 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 28A VCE 1200V Rdson-typ 80M @Vgs=18V Qg-typ 85nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters

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History: TSP740MR | APQ110SN5EA | CXDM3069N | 36N06 | BRCS250N10SDP | AUIRFR2307ZTR | 2SK2074

 

 
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