MG120R040 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MG120R040
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 128 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MG120R040

MG120R040 Datasheet (PDF)

..1. Size:908K jilin sino
mg120r040.pdf

N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET RMG120R040 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 60A VCE 1200V Rdson-typ 45 m @Vgs=18V Qg-typ 128nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters

7.1. Size:882K jilin sino
mg120r080.pdf

N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET RMG120R080 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 28A VCE 1200V Rdson-typ 80M @Vgs=18V Qg-typ 85nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters

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Liste

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