Справочник MOSFET. MG120R040

 

MG120R040 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MG120R040
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для MG120R040

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MG120R040 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  jilin sino
 mg120r040.pdf pdf_icon

MG120R040

N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET RMG120R040 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 60A VCE 1200V Rdson-typ 45 m @Vgs=18V Qg-typ 128nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters

 7.1. Size:882K  jilin sino
 mg120r080.pdf pdf_icon

MG120R040

N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET RMG120R080 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 28A VCE 1200V Rdson-typ 80M @Vgs=18V Qg-typ 85nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters

Другие MOSFET... MC08N005S , MC10N005 , MC10N006 , MC10N007L , MC10N020 , MC10N020AL , MC11N005 , MG065R060 , 5N60 , MG120R080 , MP10N50EI , MP10N60EIB , MP10N60EIC , MP10N60EIF , MP10N60EIS , MP15N60EIB , MP15N60EIC .

History: 30N06L-TF1-T | AP4410AGM | 6N65KL-TN3-R | AP4543GEM-HF | SM6F02NSFP | BRCS3400MA | TSA28N50M

 

 
Back to Top

 


 
.