MG120R080 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MG120R080

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17.9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.098 Ohm

Encapsulados: TO247

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MG120R080 datasheet

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MG120R080

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MG120R080

N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET R MG120R040 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 60A VCE 1200V Rdson-typ 45 m @Vgs=18V Qg-typ 128nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters

Otros transistores... MC10N005, MC10N006, MC10N007L, MC10N020, MC10N020AL, MC11N005, MG065R060, MG120R040, AO3401, MP10N50EI, MP10N60EIB, MP10N60EIC, MP10N60EIF, MP10N60EIS, MP15N60EIB, MP15N60EIC, MP15N60EIF