MG120R080 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG120R080
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 166 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 85 nC
Tiempo de subida (tr): 60 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 17.9 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.098 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MG120R080
MG120R080 Datasheet (PDF)
mg120r080.pdf
N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET RMG120R080 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 28A VCE 1200V Rdson-typ 80M @Vgs=18V Qg-typ 85nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters
mg120r040.pdf
N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET RMG120R040 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 60A VCE 1200V Rdson-typ 45 m @Vgs=18V Qg-typ 128nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters
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