MG120R080 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MG120R080

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 17.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для MG120R080

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MG120R080 даташит

 ..1. Size:882K  jilin sino
 mg120r080.pdf pdf_icon

MG120R080

 7.1. Size:908K  jilin sino
 mg120r040.pdf pdf_icon

MG120R080

N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET R MG120R040 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 60A VCE 1200V Rdson-typ 45 m @Vgs=18V Qg-typ 128nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters

Другие IGBT... MC10N005, MC10N006, MC10N007L, MC10N020, MC10N020AL, MC11N005, MG065R060, MG120R040, AO3401, MP10N50EI, MP10N60EIB, MP10N60EIC, MP10N60EIF, MP10N60EIS, MP15N60EIB, MP15N60EIC, MP15N60EIF