MG120R080 - аналоги и даташиты транзистора

 

MG120R080 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MG120R080
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17.9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для MG120R080

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MG120R080 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:882K  jilin sino
 mg120r080.pdf pdf_icon

MG120R080

N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET RMG120R080 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 28A VCE 1200V Rdson-typ 80M @Vgs=18V Qg-typ 85nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters

 7.1. Size:908K  jilin sino
 mg120r040.pdf pdf_icon

MG120R080

N N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET RMG120R040 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 60A VCE 1200V Rdson-typ 45 m @Vgs=18V Qg-typ 128nC APPLICATIONS Solar Inverters Switch Mode Power Supplies High Voltage DC/DC Converters

Другие MOSFET... MC10N005 , MC10N006 , MC10N007L , MC10N020 , MC10N020AL , MC11N005 , MG065R060 , MG120R040 , IRFP260 , MP10N50EI , MP10N60EIB , MP10N60EIC , MP10N60EIF , MP10N60EIS , MP15N60EIB , MP15N60EIC , MP15N60EIF .

History: 2N65KL-TF3T-T | BRCS50N06IP

 

 
Back to Top

 


 
.