MP2N60ER MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MP2N60ER
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 9.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 21.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.3 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MP2N60ER
MP2N60ER Datasheet (PDF)
mp2n60er.pdf
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Liste
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