Справочник MOSFET. MP2N60ER

 

MP2N60ER Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MP2N60ER
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.3 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MP2N60ER Datasheet (PDF)

 ..1. Size:799K  jilin sino
 mp2n60er.pdf pdf_icon

MP2N60ER

N RN-CHANNEL MOSFET MP2N60ER Package MAIN CHARACTERISTICS ID 2A VDSS 600V Rdson-max 3.3 Vgs=10V Qg-Typ 9.8nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Variable frequency LED household appliance LED power supp

 8.1. Size:627K  trinnotech
 tmp2n60z tmpf2n60z.pdf pdf_icon

MP2N60ER

TMP2N60Z(G)/TMPF2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 8.2. Size:609K  trinnotech
 tmp2n60az tmpf2n60az.pdf pdf_icon

MP2N60ER

TMP2N60AZ(G)/TMPF2N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 9.1. Size:604K  trinnotech
 tmp2n65az tmpf2n65az.pdf pdf_icon

MP2N60ER

TMP2N65AZ(G)/TMPF2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFT10N100 | AP6P090H | RJK03B9DPA | AONS34304C | AOSS32338C | NTDV3055L104 | STP40NF10L

 

 
Back to Top

 


 
.