MP2N60ER datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP2N60ER

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.3 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для MP2N60ER

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP2N60ER даташит

 ..1. Size:799K  jilin sino
 mp2n60er.pdf pdf_icon

MP2N60ER

N R N-CHANNEL MOSFET MP2N60ER Package MAIN CHARACTERISTICS ID 2A VDSS 600V Rdson-max 3.3 Vgs=10V Qg-Typ 9.8nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Variable frequency LED household appliance LED power supp

 8.1. Size:627K  trinnotech
 tmp2n60z tmpf2n60z.pdf pdf_icon

MP2N60ER

TMP2N60Z(G)/TMPF2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 8.2. Size:609K  trinnotech
 tmp2n60az tmpf2n60az.pdf pdf_icon

MP2N60ER

TMP2N60AZ(G)/TMPF2N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 9.1. Size:604K  trinnotech
 tmp2n65az tmpf2n65az.pdf pdf_icon

MP2N60ER

TMP2N65AZ(G)/TMPF2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MP10N60EIS, MP15N60EIB, MP15N60EIC, MP15N60EIF, MP15N60EIS, MP18N50EIC, MP18N50EIF, MP20N60EI, AON6380, MP4N150, MP4N50FR, MP4N60ER, MP7AN65EC, MP7AN65EF, MP7AN65ER, MP7AN65EV, MP88N25C