Справочник MOSFET. MP2N60ER

 

MP2N60ER Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MP2N60ER
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.3 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для MP2N60ER

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP2N60ER Datasheet (PDF)

 ..1. Size:799K  jilin sino
 mp2n60er.pdf pdf_icon

MP2N60ER

N RN-CHANNEL MOSFET MP2N60ER Package MAIN CHARACTERISTICS ID 2A VDSS 600V Rdson-max 3.3 Vgs=10V Qg-Typ 9.8nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Variable frequency LED household appliance LED power supp

 8.1. Size:627K  trinnotech
 tmp2n60z tmpf2n60z.pdf pdf_icon

MP2N60ER

TMP2N60Z(G)/TMPF2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 8.2. Size:609K  trinnotech
 tmp2n60az tmpf2n60az.pdf pdf_icon

MP2N60ER

TMP2N60AZ(G)/TMPF2N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 9.1. Size:604K  trinnotech
 tmp2n65az tmpf2n65az.pdf pdf_icon

MP2N60ER

TMP2N65AZ(G)/TMPF2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MP10N60EIS , MP15N60EIB , MP15N60EIC , MP15N60EIF , MP15N60EIS , MP18N50EIC , MP18N50EIF , MP20N60EI , IRLZ44N , MP4N150 , MP4N50FR , MP4N60ER , MP7AN65EC , MP7AN65EF , MP7AN65ER , MP7AN65EV , MP88N25C .

History: CPH3910 | IPB60R160C6 | AOI600A60 | RJK03E0DNS | NCE9926 | NCE60N1K0R

 

 
Back to Top

 


 
.